Несколько общих ионных источников в процессе покрытия вакуумных покрывающих машин

Чтобы улучшить адгезию, силу связывания и пленочную структуру заготовки, многие машины для вакуумного покрытия оснащены ионными источниками в процессе покрытия.
Несмотря на то, что существует много типов ионных источников, их цель - не что иное, как онлайн -очистка, улучшение распределения энергии и модуляции поверхности выселенной для увеличения энергии реакционного газа. Источник ионов может значительно улучшить силу связи между пленкой и субстратом, а также может улучшить твердость и стойкость к износу самой пленки. Если устойчивый к износу слой гальванического инструмента, как правило, более толстый, а однородность толщины пленки не высока, может использоваться источник ионов с большим ионным током и более высокий уровень энергии, такой как источник ионов зала или ионный источник анода.
Принцип источника анодного слоя иона аналогична принципам источника иона зала. Кольцевая (прямоугольная или круговая) узкая щель добавляется с усиленным магнитным полем, а рабочий газ ионизируется и испускается на заготовку под действием анода. Источник иона анод может быть сделан очень большим и длинным, что особенно подходит для гальванизации больших частей, таких как архитектурное стекло. Ионный ток анодного уровня ионный источник также большой. Однако поток ионов расходятся, а распределение уровня энергии слишком широкое. Как правило, он подходит для больших заготовков, стекла, устойчивых к износостойкому и декоративным заготовкам. Но в расширенных оптических покрытиях не так много применений.
Это вакуумное сопротивление оснащено источником ионов зала, где анод и сильное осевое магнитное поле работают вместе для ионизации газа процесса. Сильный дисбаланс осевого магнитного поля разделяет газовые ионы, образуя ионный луч. Поскольку осевое магнитное поле слишком сильное, ионный ионный луча иона зала необходимо дополнить электронами для нейтрализации потока ионов. Распространенным источником нейтрализации является вольфрамовая нить (катод).